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Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振

規格型號：66431852
頻率：3.579545MHz to 50MHz
尺寸：13.3*4.85
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產品描述：Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000MTR貼片晶振,E1SJA18-6.000MTR,無源晶振，ECLIPTEK日蝕晶振，美國進口晶振，E1S系列晶振是一款小體積晶振尺寸13.3x4.85mm晶振，E1SJA18-20.000MTR兩腳貼片晶振，E1SDA12-25.000MTR...

Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振，ECLIPTEK日蝕晶振，美國進口晶振，E1S系列晶振是一款小體積晶振尺寸13.3x4.85mm晶振，E1SJA18-20.000M TR兩腳貼片晶振，E1SDA12-25.000M TR石英晶振，無源晶振，E1SJA18-14.31818M TR石英晶體諧振器，MHz石英晶體，E1SEA18-12.000M TR無鉛環保晶振，被廣泛用于移動通訊設備，平板電腦，無線網絡晶振，藍牙模塊晶振，汽車電子晶振，醫療設備，數碼電子，物聯網等應用。

Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振,參數圖

日蝕晶振	單位	E1S晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	3.579545MHz to 50MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作溫度	T_use	-40℃~+85℃	標準（有關更多信息，請參見部件號指南選項）
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±150ppm	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.txccrystal.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振,尺寸圖

Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振

在使用晶振時應注意以下事項:

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.

3：化學制劑 / pH值環境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.

4：粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂. Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作

制造商零件編號	供應商	系列	類型	頻率	頻率穩定性
E1SJA18-7.3728M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	7.3728 MHz	±30ppm
E1SCA18-8.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	8 MHz	±100ppm
E1SFA18-25.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	25 MHz	±50ppm
E1SJA18-4.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	4 MHz	±30ppm
E1SJA18-25.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	25 MHz	±30ppm
E1SEA18-8.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	8 MHz	±50ppm
E1SDA12-25.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	25 MHz	±50ppm
E1SFA12-3.6864M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	3.6864 MHz	±50ppm
E1SJA18-6.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	6 MHz	±30ppm
E1SJA18-18.432M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	18.432 MHz	±30ppm
E1SFA18-4.000M TR	Ecliptek晶振	E1S	MHz 晶體	4 MHz	±50ppm
E1SJA18-14.31818M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	14.31818 MHz	±30ppm
E1SJA18-6.144M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	6.144 MHz	±30ppm
E1SJA18-28.63636M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	28.63636 MHz	±30ppm
E1SJA18-13.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	13 MHz	±30ppm
E1SJA18-19.6608M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	19.6608 MHz	±30ppm
E1SJA18-9.8304M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	9.8304 MHz	±30ppm
E1SJA18-18.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	18 MHz	±30ppm
E1SJA18-20.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	20 MHz	±30ppm
E1SJA18-14.7456M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	14.7456 MHz	±30ppm
E1SCA18-7.3728M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	7.3728 MHz	±100ppm
E1SEA18-16.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	16 MHz	±50ppm
E1SEA18-12.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	12 MHz	±50ppm
E1SJA18-10.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	10 MHz	±30ppm
E1SJA18-12.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	12 MHz	±30ppm
E1SJA18-11.0592M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	11.0592 MHz	±30ppm
E1SJA18-8.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	8 MHz	±30ppm
E1SJA18-16.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	16 MHz	±30ppm
E1SJA18-3.579545M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	3.579545 MHz	±30ppm

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